RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88A1BY-3C 512MB
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
Porównaj
Nanya Technology NT512T64U88A1BY-3C 512MB vs A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT512T64U88A1BY-3C 512MB
Wynik ogólny
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT512T64U88A1BY-3C 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
12.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
719.6
11.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
39
64
Wokół strony -64% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT512T64U88A1BY-3C 512MB
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
64
39
Prędkość odczytu, GB/s
3,039.5
12.8
Prędkość zapisu, GB/s
719.6
11.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
240
2089
Nanya Technology NT512T64U88A1BY-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-lnd-2133 8GB
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZR 8GB
Nanya Technology NT512T64U88A1BY-3C 512MB
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FD 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston KHX3200C20S4/32GX 32GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2HU416R 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2SU416R 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
Kingston HP32D4U2S8MR-8 8GB
Corsair CMT32GX4M2D3600C18 16GB
G Skill Intl F5-6000J3636F16G 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVKA 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZR 8GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX4M2E4000C19 8GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Corsair CMK8GX4M1Z3600C18 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link