RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
Porównaj
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
96
Wokół strony -182% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
9.6
6.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.6
4.2
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR3
Opóźnienie w PassMark, ns
96
34
Prędkość odczytu, GB/s
6.8
9.6
Prędkość zapisu, GB/s
4.2
7.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
10600
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
992
2050
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7BFR4C-H9 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
SK Hynix HMT31GR7EFR4C-H9 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7BFR4C
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BLE8G4D34AEEAK.K8FB 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR1600S364L11/8G 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Kingston 9905622-024.A00G 4GB
Kingston 9905678-024.A00G 4GB
Kingston 9905678-110.A00G 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKY 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Apacer Technology 78.BAGN8.40C0B 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FD 16GB
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston 9965589-030.D01G 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Corsair CMK64GX4M2D3600C18 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link