RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Porównaj
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB vs A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
21300
Wokół strony 1.2% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
38
Wokół strony -23% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.2
14.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.3
9.8
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
31
Prędkość odczytu, GB/s
14.2
18.2
Prędkość zapisu, GB/s
9.8
14.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
21300
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2451
3439
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Corsair CM4X8GD3200C16K4 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z2933C16 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Kingston 9905713-001.A00G 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMSX8GX4M2A2666C18 4GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link