RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Panram International Corporation PUD31600C114G2VS 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C17 8GB
Porównaj
Panram International Corporation PUD31600C114G2VS 4GB vs Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C17 8GB
Wynik ogólny
Panram International Corporation PUD31600C114G2VS 4GB
Wynik ogólny
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C17 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Panram International Corporation PUD31600C114G2VS 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
40
73
Wokół strony 45% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.4
7.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C17 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.4
13.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Panram International Corporation PUD31600C114G2VS 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C17 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
40
73
Prędkość odczytu, GB/s
13.6
14.4
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
7.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2255
1842
Panram International Corporation PUD31600C114G2VS 4GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C17 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT51264BF1339J.C8F 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMW16GX4M2C3600C18 8GB
Panram International Corporation PUD31600C114G2VS 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C17 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston KV0M5R-MIE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston 99U5624-001.A00G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Corsair CMK32GX4M4D3600C18 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Neo Forza NMUD480E86-3200 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FHP 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMSX8GX4M1A2666C18 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CM4X4GD3000C15K4 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
INTENSO 5641160 8GB
Kingston KF560C40-16 16GB
Corsair CMX16GX3M2A1333C9 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link