RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Patriot Memory (PDP Systems) 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
Porównaj
Patriot Memory (PDP Systems) 1600 CL10 Series 8GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
Wynik ogólny
Patriot Memory (PDP Systems) 1600 CL10 Series 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Patriot Memory (PDP Systems) 1600 CL10 Series 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
40
Wokół strony -82% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.5
15.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.2
9.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Patriot Memory (PDP Systems) 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
40
22
Prędkość odczytu, GB/s
15.1
18.5
Prędkość zapisu, GB/s
9.3
14.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2532
3392
Patriot Memory (PDP Systems) 1600 CL10 Series 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F4-2800C15-16GRKD 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 8GB 8GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Kingston XW21KG-HYD-NX 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZRC 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Corsair CMD32GX4M4E4000C19 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002S 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 9905744-077.A00G 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FN 16GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung 9905599-020.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Solarflare Communications CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FBD 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link