RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Porównaj
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Wynik ogólny
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Wynik ogólny
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
35
Wokół strony -59% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.3
13.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.7
9.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
35
22
Prędkość odczytu, GB/s
13.7
17.3
Prędkość zapisu, GB/s
9.6
13.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2312
3051
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingston KHX31600C10F/8G 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4300 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 9965643-006.A01G 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKO 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FBD 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FE 32GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 8GB 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Corsair CMK16GX4M2C3333C16 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRS 4GB
Transcend Information TS512MSK64W6H 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M16FE 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2400C16 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link