RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000 32GB
Porównaj
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000 32GB
Wynik ogólny
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Wynik ogólny
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000 32GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
35
Wokół strony -13% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.9
13.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.2
9.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
35
31
Prędkość odczytu, GB/s
13.7
16.9
Prędkość zapisu, GB/s
9.6
15.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2312
3650
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingston KHX31600C10F/8G 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000 32GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
Kingston 99U5403-050.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E86-3200D 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-18---------- 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
A-DATA Technology DQVE1B16 2GB
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FR 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Kingston KHX2666C13D4/8GX 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMK8GX4M2B4266C19 4GB
Samsung M471B1G73BH0-CH9 8GB
Samsung M378B1G73BH0-CK0 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M2B3000C15 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link