RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M8FB1 16GB
Porównaj
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB vs Crucial Technology BL16G32C16S4B.M8FB1 16GB
Wynik ogólny
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M8FB1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M8FB1 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
35
Wokół strony -21% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.2
13.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.2
9.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M8FB1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
35
29
Prędkość odczytu, GB/s
13.7
17.2
Prędkość zapisu, GB/s
9.6
14.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2312
3461
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingston KHX31600C10F/8G 8GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M8FB1 16GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M8FB1 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Panram International Corporation M424016 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-UH 32GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE1 8GB
Corsair CMD16GX3M4A2666C11 4GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BUSS 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMK8GX4M2B3733C17 4GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZA 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link