RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE1 8GB
Porównaj
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB vs Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE1 8GB
Wynik ogólny
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
44
Wokół strony 20% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE1 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.3
13.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.8
9.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
35
44
Prędkość odczytu, GB/s
13.7
17.3
Prędkość zapisu, GB/s
9.6
10.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2312
2523
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingston KHX31600C10F/8G 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE1 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMD32GX4M4C3200C16-R 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston KHX2400C15S4/4G 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
A-DATA Technology AM1P26KCST2-BABS 16GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBD 16GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-VK 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVR 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FB 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Corsair CMK8GX4M1A2666C16 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GIS 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBR1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link