RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDR2 8GB
Porównaj
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB vs Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDR2 8GB
Wynik ogólny
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDR2 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDR2 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
35
Wokół strony -9% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.7
13.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.6
9.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDR2 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
35
32
Prędkość odczytu, GB/s
13.7
15.7
Prędkość zapisu, GB/s
9.6
11.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2312
2779
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingston KHX31600C10F/8G 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDR2 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FE 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GRS 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GFX 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Kingston HX424C15FB/16 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZRC 8GB
SK Hynix HMP125U6EFR8C-S6 2GB
Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Mushkin MR[A/B]4U360JNNM8G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FRS 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingston 9905599-025.A00G 8GB
Kingston KF560C40-16 16GB
Mushkin MES4S213FF16G28 16GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Kingston ACR32D4S2S8ME-16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link