RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
Porównaj
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB vs Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
Wynik ogólny
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
36
Wokół strony 3% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14
13.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.1
9.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
35
36
Prędkość odczytu, GB/s
13.7
14.0
Prędkość zapisu, GB/s
9.6
10.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2312
2416
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingston KHX31600C10F/8G 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260KC78HAF-2666 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVRB 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-3000 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GNT 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingston 9905625-098.A00G 16GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZN 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMK32GX4M2B3200C16 16GB
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMH32GX4M4D3600C18 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Kingston 9932301-P01.A00G 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link