RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB
Porównaj
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB vs Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB
Wynik ogólny
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Wynik ogólny
Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
73
Wokół strony 52% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.6
8.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.7
13.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
35
73
Prędkość odczytu, GB/s
13.7
14.7
Prędkość zapisu, GB/s
9.6
8.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2312
1712
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingston KHX31600C10F/8G 8GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
OCMEMORY OCM2933CL16-16GBH 16GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.M8FADG 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KCIA------ 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FD1 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
SK Hynix HMA41GU7AFR8N-TF 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FE 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM32G 32GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BD7S 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link