RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E85-2666E 8GB
Porównaj
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E85-2666E 8GB
Wynik ogólny
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Wynik ogólny
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E85-2666E 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
50
Wokół strony 30% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.7
13.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.6
7.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E85-2666E 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E85-2666E 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
35
50
Prędkość odczytu, GB/s
13.7
13.4
Prędkość zapisu, GB/s
9.6
7.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2312
1976
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingston KHX31600C10F/8G 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E85-2666E 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Smart Modular SF464128CKHIWDFSEG 4GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FHP 8GB
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
Nanya Technology M2S4G64CB8HB5N-CG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C19 Series 8GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Essencore Limited KD44GU480-26N160T 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link