RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
Porównaj
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
Wynik ogólny
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
42
Wokół strony 17% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.7
13.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.4
9.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
12800
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
35
42
Prędkość odczytu, GB/s
13.7
15.7
Prędkość zapisu, GB/s
9.6
12.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
25600
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2312
2352
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingston KHX31600C10F/8G 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRG 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRG 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FB 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BD7S 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston KHX3200C16D4/32GX 32GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZA 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.K8FB 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRG 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 9905678-024.A00G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link