RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Porównaj
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Wynik ogólny
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
38
Wokół strony 8% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.3
13.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.5
9.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
35
38
Prędkość odczytu, GB/s
13.7
15.3
Prędkość zapisu, GB/s
9.6
10.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2312
2346
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingston KHX31600C10F/8G 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston ACR26D4S9S8HJ-8 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FR 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-lnd-2133 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CMV16GX4M1A2400C16 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Corsair CMD8GX4M2B3000C15 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology 78.C2GFK.AR20B 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Mushkin MB[A/B]4U240FFFF16G 16GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Corsair CMT32GX4M2C3466C16 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FAR 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link