Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB vs Ramsta Ramsta-2400Mhz-8G 8GB

Wynik ogólny

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

Wynik ogólny

Ramsta Ramsta-2400Mhz-8G 8GB

Ramsta Ramsta-2400Mhz-8G 8GB

Różnice Specyfikacje Uwagi

Różnice

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

Powody do rozważenia
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

Większa szybkość odczytu, GB/s

13.7 12

Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s

9.6 8.8

Średnia wartość w badaniach

Ramsta Ramsta-2400Mhz-8G 8GB

Powody do rozważenia
Ramsta Ramsta-2400Mhz-8G 8GB

Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns

26 35

Wokół strony -35% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps

19200 12800

Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma

Specyfikacje

Pełna lista specyfikacji technicznych

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

Ramsta Ramsta-2400Mhz-8G 8GB

Główna charakterystyka

Typ pamięci

DDR3 DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns

35 26
Prędkość odczytu, GB/s

13.7 12.0
Prędkość zapisu, GB/s

9.6 8.8
Szerokość pasma pamięci, mbps

12800 19200

Other

Opis

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara

9-9-9-24 / 1600 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)

2312 2280

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Najnowsze porównania

Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB

Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB

InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB

InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB

Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB

AMD R538G1601U2S-UO 8GB

AMD R538G1601U2S-UO 8GB

G Skill Intl F4-2800C15-8GTXG 8GB

G Skill Intl F4-2800C15-8GTXG 8GB

Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB

Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB

G Skill Intl F4-2400C17-4GFT 4GB

G Skill Intl F4-2400C17-4GFT 4GB

Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB

Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB

G Skill Intl F4-3866C18-4GVK 4GB

G Skill Intl F4-3866C18-4GVK 4GB

PNY Electronics PNY 2GB

PNY Electronics PNY 2GB

Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB

Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB

Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB

Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB

Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB

Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB

Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB

Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB

Apacer Technology 78.B1GQB.4010B 4GB

Apacer Technology 78.B1GQB.4010B 4GB

Kingston HP698651-154-MCN 8GB

Kingston HP698651-154-MCN 8GB

Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3866 8GB

Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3866 8GB

Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB

Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB

Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB

Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB

SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB

SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB

Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB

Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FD 16GB

Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FD 16GB

Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB

Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB

Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB

Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB

Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB