RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
Porównaj
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB vs Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
Wynik ogólny
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Wynik ogólny
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
35
Wokół strony -25% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
13.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.3
9.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
35
28
Prędkość odczytu, GB/s
13.7
16.0
Prędkość zapisu, GB/s
9.6
11.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2312
2436
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingston KHX31600C10F/8G 8GB
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GVKB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 8GB 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Apacer Technology 78.BAGN8.40C0B 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Smart Modular SF4642G8CK8IEHLSBG 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston KV0M5R-MIE 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G13332S 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMD16GX4M2B3000C15 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link