RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
Porównaj
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
Wynik ogólny
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Wynik ogólny
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
35
Wokół strony -30% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.7
13.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.8
9.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
12800
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
35
27
Prędkość odczytu, GB/s
13.7
18.7
Prędkość zapisu, GB/s
9.6
17.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
25600
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2312
3963
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingston KHX31600C10F/8G 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Transcend Information JM2666HSB-8G 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4800C20-16GTZR 16GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GIS 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9965662-008.A01G 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBR2 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
Corsair CMW32GX4M4K3733C17 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BD2SHC 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link