RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
Porównaj
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
Wynik ogólny
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Wynik ogólny
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
35
Wokół strony -40% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.2
13.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
18.1
9.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
35
25
Prędkość odczytu, GB/s
13.7
20.2
Prędkość zapisu, GB/s
9.6
18.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2312
4046
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingston KHX31600C10F/8G 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVK 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
A-DATA Technology AX5U6000C4016G-B 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXW 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Kingston XRMWRN-MIE2 16GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Mushkin 99[2/7/4]189F 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston DNU540DR4NABND1 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-3200 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair CMT32GX4M2K4000C19 16GB
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZ 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link