RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
Porównaj
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
Wynik ogólny
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
39
Wokół strony -30% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.4
14.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.8
9.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
39
30
Prędkość odczytu, GB/s
14.7
18.4
Prędkość zapisu, GB/s
9.2
14.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2322
3657
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB Porównanie pamięci RAM
Transcend Information JM1600KLN-4GK 2GB
Micron Technology ITC 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Corsair CMK8GX4M1D3000C16 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Samsung M391B1G73BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GRS 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FE 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FBD 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Corsair CMK16GX4M1Z3600C18 16GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CMK16GX4M2A2400C16 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link