RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBR2 8GB
Porównaj
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB vs Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBR2 8GB
Wynik ogólny
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBR2 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
5
14.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBR2 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
39
Wokół strony -15% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.0
1,597.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBR2 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
39
34
Prędkość odczytu, GB/s
5,022.9
14.8
Prędkość zapisu, GB/s
1,597.0
11.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
753
2652
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB Porównanie pamięci RAM
A Force Manufacturing Ltd. 256X64M-67E 2GB
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBR2 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Kingmax Semiconductor GSJF62F-DA---------- 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston KHX2133C13D4/4GX 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3466C16 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CMK64GX4M4C3000C15 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston KF3200C20S4/16GX 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVK 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZRX 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Kingston 9905744-006.A00G 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Corsair CMW16GX4M2C3600C18 8GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3200C22-32GRS 32GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVKA 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link