RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
Porównaj
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB vs G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
Wynik ogólny
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
5
20
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
19
39
Wokół strony -105% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.8
1,597.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
39
19
Prędkość odczytu, GB/s
5,022.9
20.0
Prędkość zapisu, GB/s
1,597.0
15.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
753
3192
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB Porównanie pamięci RAM
A Force Manufacturing Ltd. 256X64M-67E 2GB
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVR 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRS 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston 9905702-019.A00G 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Samsung M393A2K43CB1-CRC 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUC0B 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Apacer Technology 78.CAGN4.4020B 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Apacer Technology GD2.1527WE.001 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Corsair CMV4GX4M1A2666C18 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FA11 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link