RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Porównaj
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB vs Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Wynik ogólny
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Wynik ogólny
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
5
17.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
39
Wokół strony -63% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.8
1,597.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
39
24
Prędkość odczytu, GB/s
5,022.9
17.1
Prędkość zapisu, GB/s
1,597.0
12.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
753
3257
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB Porównanie pamięci RAM
A Force Manufacturing Ltd. 256X64M-67E 2GB
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKKF 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Corsair CMK16GX4M1C3000C16 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C18 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
UMAX Technology D4-3200-16G-1024X8-L 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
INTENSO M418039 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston LV26D4S9S8HJ-8 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZSW 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Lenovo 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESE.M16FE 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology BLT8G4D26BFT4K.C8FD 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link