RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Porównaj
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB vs Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Wynik ogólny
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Wynik ogólny
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
5
17.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
39
Wokół strony -63% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.8
1,597.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
39
24
Prędkość odczytu, GB/s
5,022.9
17.1
Prędkość zapisu, GB/s
1,597.0
12.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
753
3257
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB Porównanie pamięci RAM
A Force Manufacturing Ltd. 256X64M-67E 2GB
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZSW 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
V-GEN D4H8GL32A8TS 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Apacer Technology 78.C2GFK.AR20B 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Corsair CMSX64GX4M2A2933C19 32GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology BLT16G4D26BFT4.C16FD 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Kingston 9905624-019.A00G 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CM4X16GE2133C15S2 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link