RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
Porównaj
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB vs Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
Wynik ogólny
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Wynik ogólny
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
5
16
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
36
39
Wokół strony -8% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.7
1,597.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
5300
Wokół strony 4.83 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
39
36
Prędkość odczytu, GB/s
5,022.9
16.0
Prędkość zapisu, GB/s
1,597.0
12.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
25600
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
753
2353
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB Porównanie pamięci RAM
A Force Manufacturing Ltd. 256X64M-67E 2GB
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZRC 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Ramaxel Technology RMSA3260MB78HAF2400 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FD 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRK 4GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Dust Leopard DDR4-2400 CL17 8GB 8GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVSB 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MB-24RX 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Transcend Information JM2666HLB-8G 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Corsair CMW16GX4M1Z3200C16 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRR 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link