RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GRS 16GB
Porównaj
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB vs G Skill Intl F4-2666C19-16GRS 16GB
Wynik ogólny
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2666C19-16GRS 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2666C19-16GRS 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
36
63
Wokół strony -75% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.5
6.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.4
5.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GRS 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
63
36
Prędkość odczytu, GB/s
6.1
15.5
Prędkość zapisu, GB/s
5.0
13.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1274
2966
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB Porównanie pamięci RAM
AMD R7416G2133U2S 16GB
Kingston KTP9W1-MIE 16GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GRS 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GRS 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Kingston KHX2666C15D4/4G 4GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C16 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Apacer Technology 78.CAGR9.40C0B 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Corsair CM4X4GD3000C15K4 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMG16GX4M2D3600C18 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston 9965662-018.A00G 32GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Corsair CMG64GX4M2D3600C18 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link