RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZA 16GB
Porównaj
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GTZA 16GB
Wynik ogólny
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZA 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZA 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
63
Wokół strony -91% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.3
6.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.9
5.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZA 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
63
33
Prędkość odczytu, GB/s
6.1
18.3
Prędkość zapisu, GB/s
5.0
15.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1274
3574
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB Porównanie pamięci RAM
AMD R7416G2133U2S 16GB
Kingston KTP9W1-MIE 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZA 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE1 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CM4X16GE2666C18S4 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTZR 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Essencore Limited KD48GU880-32N220T 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Kingston RB26D4U9D8MEH-16 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Kingston 9905701-098.A00G 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
A-DATA Technology AD4U240038G17-BHYA 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZR 32GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
EXCELERAM EKBLACK4163016AD 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Corsair CMT32GX4M2Z3600C18 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Inmos + 256MB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link