RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FB 16GB
Porównaj
PNY Electronics PNY 2GB vs Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FB 16GB
Wynik ogólny
PNY Electronics PNY 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FB 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
PNY Electronics PNY 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
40
Wokół strony 33% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FB 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.9
13.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.3
8.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
10600
Wokół strony 2.42 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FB 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
40
Prędkość odczytu, GB/s
13.8
15.9
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
12.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
25600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2274
3020
PNY Electronics PNY 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FB 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FB 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB528528266
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 9905665-009.A00G 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Mushkin MB[A/B]4U240FFFF16G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Apacer Technology 78.CAGPP.40C0B 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston ACR24D4U7S8MB-8 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Mushkin 99[2/7/4]183 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200D 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Apacer Technology 78.D2GF2.AU30B 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FB 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FARG 8GB
Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link