RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FF 4GB
Porównaj
PNY Electronics PNY 2GB vs Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FF 4GB
Wynik ogólny
PNY Electronics PNY 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FF 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
PNY Electronics PNY 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
81
Wokół strony 67% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.4
7.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FF 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.2
13.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FF 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
81
Prędkość odczytu, GB/s
13.8
15.2
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
7.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2274
1668
PNY Electronics PNY 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FF 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2BQ2 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CM4X8GC3000C15K4 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905704-007.A00G 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston 9905702-006.A00G 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FADG 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVK 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM16G 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link