RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
Porównaj
PNY Electronics PNY 2GB vs G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
Wynik ogólny
PNY Electronics PNY 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
PNY Electronics PNY 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
37
Wokół strony 27% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.1
13.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.9
8.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
37
Prędkość odczytu, GB/s
13.8
15.1
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
11.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2274
2804
PNY Electronics PNY 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-18---------- 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3466C16 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Samsung M393A4K40BB0-CPB 32GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
NSITEXE Inc Visenta 16GB
Samsung M471B5773CHS-CF8 2GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S816KRGB 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Ramaxel Technology RMUA5110MD78HAF-2666 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CM4X16GE2666C16K8 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link