RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZB 8GB
Porównaj
PNY Electronics PNY 2GB vs G Skill Intl F4-3000C15-8GTZB 8GB
Wynik ogólny
PNY Electronics PNY 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
PNY Electronics PNY 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
30
Wokół strony 10% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZB 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.1
13.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.2
8.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
30
Prędkość odczytu, GB/s
13.8
18.1
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
14.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2274
3352
PNY Electronics PNY 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZB 8GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZB 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
AMD R744G2133U1S 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 9905701-132.A00G 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMK16GX4M4A2400C16 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BNK 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBD1 8GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Kingston HP24D4U7S8MBP-8 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXKB 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.16FE1 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingmax Semiconductor GLAF62F-D8---------- 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link