RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
Porównaj
PNY Electronics PNY 2GB vs G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
Wynik ogólny
PNY Electronics PNY 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
PNY Electronics PNY 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
30
Wokół strony 10% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.5
13.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.9
8.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
30
Prędkość odczytu, GB/s
13.8
17.5
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
12.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2274
3283
PNY Electronics PNY 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Kingston KHX2133C14S4/16G 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRKB 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMK16GX4M4B3600C18 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Apacer Technology 78.BAGN8.40C0B 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/8G 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
G Skill Intl F4-4400C17-8GVK 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston XJV223-MIE 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMD8GX4M2B3466C18 4GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE3 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMK32GX4M4A2666C15 8GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Corsair CMD16GX3M4A2666C11 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FAD 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link