RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB
Porównaj
PNY Electronics PNY 2GB vs G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB
Wynik ogólny
PNY Electronics PNY 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
PNY Electronics PNY 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
29
Wokół strony 7% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.8
13.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.9
8.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
29
Prędkość odczytu, GB/s
13.8
20.8
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
16.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2274
3901
PNY Electronics PNY 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Corsair CMV8GX4M1A2133C15 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3A3 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3733 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston 99U5665-001.A00G 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KII5------ 16GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
Corsair CMD64GX4M8A2400C14 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Corsair CM4X8GE2400C16K4 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link