RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Porównaj
PNY Electronics PNY 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Wynik ogólny
PNY Electronics PNY 2GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
PNY Electronics PNY 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
35
Wokół strony 23% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.8
10.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.4
8.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
PNY Electronics PNY 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
35
Prędkość odczytu, GB/s
13.8
10.3
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
8.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2274
2327
PNY Electronics PNY 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N-UH 16GB Porównanie pamięci RAM
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Avant Technology J642GU42J5213N4 16GB
Kingston 9965516-049.A00LF 8GB
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BW8S 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMW64GX4M4C3466C16 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kingston MSI24D4S7S8MB-8 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FE 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Good Wealth Technology Ltd. KETECH 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FD 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Kingston 9905678-121.A00G 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Apacer Technology 78.CAGR4.DFC0B 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link