RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Porównaj
PNY Electronics PNY 2GB vs Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Wynik ogólny
PNY Electronics PNY 2GB
Wynik ogólny
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
PNY Electronics PNY 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
52
Wokół strony 48% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.8
10.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.4
7.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
52
Prędkość odczytu, GB/s
13.8
10.5
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
7.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2274
2236
PNY Electronics PNY 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT32G4DFD832A.M16FB 32GB
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Corsair CMT32GX4M2K4000C19 16GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FE 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMW32GX4M2C3200C16 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Transcend Information JM3200HSE-32G 32GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Kingston 9905734-102.A00G 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link