RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
Porównaj
PNY Electronics PNY 2GB vs Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
Wynik ogólny
PNY Electronics PNY 2GB
Wynik ogólny
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
PNY Electronics PNY 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.4
7.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
27
Wokół strony -17% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.3
13.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
23
Prędkość odczytu, GB/s
13.8
14.3
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
7.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2274
2103
PNY Electronics PNY 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 16KTF1G64HZ-1G6E1 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston HP26D4S9S8ME-8 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Corsair CM4X16GE2666C18S2 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FADP 4GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Elpida EBE10UE8AFSA-8G-F 1GB
Corsair CM4X8GE2666C16K8 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
Kingston KHX8500D2K2/2GN 1GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Corsair CM4X32GC3200C16K2E 32GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
Corsair CMR64GX4M4C3000C15 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link