RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
Porównaj
PNY Electronics PNY 2GB vs Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
Wynik ogólny
PNY Electronics PNY 2GB
Wynik ogólny
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
PNY Electronics PNY 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
32
Wokół strony 16% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.8
11.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.7
8.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
PNY Electronics PNY 2GB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
32
Prędkość odczytu, GB/s
13.8
11.9
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
8.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2274
1875
PNY Electronics PNY 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
PNY Electronics PNY 2GB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMW8GX4M1D3000C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston M378A1K43CB2-CRC 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Super Talent F21UB8GS 8GB
Essencore Limited KD4AGS88A-26N1600 16GB
Apacer Technology 78.CAGR9.40C0B 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3466C16 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG 4GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMK8GX4M2B4200C19 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEGKSBG 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link