RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
Porównaj
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB vs A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
Wynik ogólny
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
38
45
Wokół strony 16% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.7
15
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.0
8.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
45
Prędkość odczytu, GB/s
16.7
15.0
Prędkość zapisu, GB/s
10.0
8.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2753
2190
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology DDR3 1866 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C18 Series 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240081 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston 9965589-017.D00G 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL17 8GB 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Mushkin MRA4S320GJJM32G 32GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKO 8GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Kingston 99U5701-003.A00G 16GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVG 8GB
A-DATA Technology DQVE1B16 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRGC 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C18 Series 8GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZ 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link