RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
Porównaj
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB vs Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
Wynik ogólny
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Wynik ogólny
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.7
16.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
38
Wokół strony -41% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.0
10.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
23400
12800
Wokół strony 1.83 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
27
Prędkość odczytu, GB/s
16.7
16.5
Prędkość zapisu, GB/s
10.0
12.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
23400
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2753
3245
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology DDR3 1866 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266682 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FE 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRK 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMK16GX4M2Z2666C16 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
SK Hynix Kingston 4GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Smart Modular SF4722G4CKHH6DFSDS 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZR 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GFX 16GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GRS 4GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Apacer Technology 78.CAGQ7.ARC0B 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Corsair CMK64GX4M4C3000C16 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link