RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB
Porównaj
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB
Wynik ogólny
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Wynik ogólny
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
12.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
106
Wokół strony -242% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.4
2,069.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
106
31
Prędkość odczytu, GB/s
3,273.7
12.5
Prędkość zapisu, GB/s
2,069.2
9.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC-5300, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
no data
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
734
2361
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB Porównanie pamięci RAM
Qimonda 72T128401EFA3SC2 512MB
Kingston KP6FH5-MIE 32GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Essencore Limited KD48GU880-32N220T 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Apacer Technology 76.B305G.D500B 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXK 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C18 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Neo Forza NMUD480E82-3600 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBD1 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3000 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
King Tiger Technology Tigo-2400MHz-8G 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB
Nanya Technology M2Y2G64TU8HD5B-AC 2GB
Aquarius Production Company LLC 16G-D4-2666-MR 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z3466C16 8GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C18 8GB
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD1 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
EXCELERAM EKBLACK4163016AD 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link