RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
Porównaj
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB vs G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
Wynik ogólny
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
43
Wokół strony -48% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.2
13.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.1
9.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
43
29
Prędkość odczytu, GB/s
13.2
18.2
Prędkość zapisu, GB/s
9.3
16.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2285
3748
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-1600C11-8GISL 8GB
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Smart Modular SF4642G8CK8I8HLSBG 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston KF3600C17D4/8GX 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston KHX2133C14/16G 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CM4X8GE2400C16K4 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVK 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Kingston HP24D4S7S8MBP-8 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBR2 4GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BD2SHC 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Inmos + 256MB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link