RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FB 8GB
Porównaj
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB vs Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FB 8GB
Wynik ogólny
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
34
Wokół strony 24% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FB 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14
13.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.4
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
34
Prędkość odczytu, GB/s
13.5
14.0
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
10.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1932
2616
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2S2G64CB88G5N-DI 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FB 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston KF3600C16D4/8GX 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRK 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingston KHX2400C14D4/16G 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMR16GX4M2C3000C15 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
AMD R748G2133U2S-UO 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSK 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3600 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
V-GEN D4H16GS24A8 16GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Kingston 9905630-030.A00G 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GVK 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link