RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Porównaj
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB vs Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Wynik ogólny
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Wynik ogólny
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
26
Wokół strony -4% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.2
13.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.4
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
25
Prędkość odczytu, GB/s
13.5
15.2
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
11.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1932
2346
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2S2G64CB88G5N-DI 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CM4X16GE2666C16K8 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CM4X8GF2400C16S4 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB88CHN-DG 4GB
Corsair CMK256GX4M8A2400C16 32GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston HP37D4U1S8ME-16XR 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVSB 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.8FE 8GB
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
Kingston HP26D4U9S8MD-8 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTVS 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link