RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Porównaj
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB vs Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Wynik ogólny
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Wynik ogólny
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
46
Wokół strony 43% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
13.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.4
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
10600
Wokół strony 2.42 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
46
Prędkość odczytu, GB/s
13.5
16.0
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
12.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
25600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1932
2660
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2S2G64CB88G5N-DI 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingmax Semiconductor GSAH22F-18---------- 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Mushkin MRA4S293MMMF32G 32GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMH32GX4M2D3600C18 16GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Corsair CMR32GX4M4C3000C16 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Kingston 9905700-026.A00G 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 9905712-001.B00G 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBD 16GB
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Corsair CMK8GX4M2A2133C13 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Essencore Limited KD44GU480-26N160T 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZR 8GB
SK Hynix HMT351U6BFR8C-H9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6EFR8C
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link