RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Porównaj
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB vs ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Wynik ogólny
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Wynik ogólny
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
37
40
Wokół strony -8% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
21.4
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.3
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
40
37
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
21.4
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
14.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1806
3448
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB Porównanie pamięci RAM
AMD R538G1601S2LS 8GB
Kingston 9905678-023.A00G 8GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMK128GX4M8Z2933C16 16GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Kingston KV0M5R-HYD 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB528528266
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FDD2 4GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMD16GX4M4B2133C10 4GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Kingston 9905701-004.A00G 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link