RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GRS 4GB
Porównaj
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB vs G Skill Intl F4-2666C18-4GRS 4GB
Wynik ogólny
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2666C18-4GRS 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2666C18-4GRS 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
40
Wokół strony -29% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.9
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.4
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GRS 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
40
31
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
14.9
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
11.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1806
2330
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB Porównanie pamięci RAM
AMD R538G1601S2LS 8GB
Kingston 9905678-023.A00G 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GRS 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GRS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Transcend Information JM3200HLG-8G 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FADP 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMU16GX4M2C3000C15 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB
Nanya Technology M2F2G64CB88B7N-CG 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVK 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FB 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GVK 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTESC 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Advantech Co Ltd SQR-UD4N16G2K6SNCB 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GVR 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Smart Modular SF4641G8CK8IWGKSEG 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link