RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GRKD 16GB
Porównaj
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB vs G Skill Intl F4-2800C15-16GRKD 16GB
Wynik ogólny
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2800C15-16GRKD 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2800C15-16GRKD 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
40
Wokół strony -43% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.1
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.9
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GRKD 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
40
28
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
14.1
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
10.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1806
2931
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB Porównanie pamięci RAM
AMD R538G1601S2LS 8GB
Kingston 9905678-023.A00G 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GRKD 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
Kingston 9905403-500.A01LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FE 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Corsair CMR64GX4M4C3200C16 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Kingston MSI21D4S15HAG/8G 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDR1 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Apacer Technology 78.C1GMW.AUC0B 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston ACR26D4S9S1ME-4 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FP 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link