RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE1 8GB
Porównaj
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB vs Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE1 8GB
Wynik ogólny
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
37
43
Wokół strony -16% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.8
11.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.2
7.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
43
37
Prędkość odczytu, GB/s
11.4
17.8
Prędkość zapisu, GB/s
7.7
14.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1823
3171
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE1 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingmax Semiconductor FLFF65F-C8KM9 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBD 16GB
SK Hynix HMT351S6EFR8A-PB 4GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMW16GX4M2C3000C15 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Apacer Technology 78.CAGP7.DFW0C 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FD2 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston HP26D4S9S8MHF-8 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZN 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Ramaxel Technology RMUA5110MD78HAF-2666 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C
SK Hynix HMT351S6EFR8C-PB 4GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CMK8GX4M2A2133C13 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston 9905625-097.A00G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link