RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVK 16GB
Porównaj
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB vs G Skill Intl F4-3200C14-16GVK 16GB
Wynik ogólny
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C14-16GVK 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C14-16GVK 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
43
Wokół strony -48% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20
11.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.8
7.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVK 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
43
29
Prędkość odczytu, GB/s
11.4
20.0
Prędkość zapisu, GB/s
7.7
15.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1823
3831
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVK 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston XRMWRN-MIE 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Asgard VMA44UI-MEC1U2AW2 32GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRSA 16GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
SK Hynix HMA84GR7JJR4N-VK 32GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM8G 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRG 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Corsair CMU32GX4M4D3000C16 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston XN205T-MIE 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2133 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link