RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB
Porównaj
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB vs G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB
Wynik ogólny
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
43
Wokół strony -48% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.4
11.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.9
7.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
43
29
Prędkość odczytu, GB/s
11.4
18.4
Prędkość zapisu, GB/s
7.7
15.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1823
3736
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRS 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZA 16GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
A-DATA Technology AO1P29KC8T1-BY9SSB 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston KMKYF9-HYA 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston KHX2933C17S4/16G 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB
Mushkin 991586 2GB
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2133 16GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFXR 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Hypertec G2RT-4AFT00 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRK 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM8G 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link