RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Porównaj
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB vs Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Wynik ogólny
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Wynik ogólny
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
43
Wokół strony -30% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.6
11.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.0
7.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
12800
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
43
33
Prędkość odczytu, GB/s
11.4
17.6
Prędkość zapisu, GB/s
7.7
12.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
25600
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1823
2910
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE1 16GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
SK Hynix HMT351U7CFR8C-PB 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNS 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18---------- 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190A 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK16GX4M2A2400C16 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMK16GX4M2E4000C19 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
A-DATA Technology AM2P24HC4R1-BUPS 4GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD3-2400 8GB
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2400 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3600 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link